Розглянуто проблеми кадрового забезпечення органів державної виконавчої влади, суспільно-політичну ситуацію в області у період виборів Президента України (сподівання виборців, рівень соціальної напруги, рейтинг кандидатів). Висвітлено регіональні засади відновлення виробництва, зокрема, соціально-економічні тенденції та основні напрямки даного процесу, формування інвестиційної політики та розширення ринкових можливостей, розвитку інноваційної діяльності у регіоні.

Варіаційним методом вивчено вплив однорідного магнітного поля на екситон у квантових ямах GaAs/AlAs I та II типів. Використано анізотропну модель надгратки. Визначено залежності середніх значень відстаней між електроном і діркою від товщин шарів і магнітного поля. Результати обчислень вказують на збільшення енергії утворення екситонів зі зростанням магнітного поля та її зменшення у разі збільшення геометричних параметрів структури, що добре узгоджується з відповідними експериментальними даними.

Наведено результати про крайові ефекти в композиті, слабоармованому волокнами квадратного поперечного перерізу. Композит перебуває за умов двовісного рівномірного навантаження. Досліджено крайові ефекти, зумовлені різницею коефіцієнтів Пуассона компонентів композита. Наведено числові результати.

Розглянуто двокомпонентний композит, слабкоармований волокнами прямокутного поперечного перерізу та послаблений двома контактними тріщинами, розташованими симетрично одній з координатних осей. Композит знаходиться за умов плоскої деформації, на межі прикладено рівномірно розтягальне навантаження. Досліджено вплив коефіцієнтів Пуассона компонент композита на характер зон крайових ефектів. Наближений розв'язок задачі знайдено за допомогою методу скінченних різниць. Побудовано зони крайових ефектів для компонент напружень залежно від значень коефіцієнтів Пуассона компонент композита.

Викладено основи проектування автомобільних доріг, майданчиків і дорожнього благоустрою на території виробничої зони та сільських вулиць. Значну увагу приділено конструкціям дорожнього одягу та його класифікації, розрахунку монолітних цементобетонних покриттів, видам водоперепускних споруд, порівняльним варіантам плану тераси тощо.

Досліджено енергетичний спектр електрона системи beta-HgS/CdS у двох зв'язаних квантових точках однакових розмірів. Досліджено зміну величини розщеплення енергетичного рівня електрона залежно від радіуса нанокристала. Вивчено генезис енергетичного спектра двох нанокристалів різних радіусів від відстані між межами поділу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основні відомості щодо проектування та будівництва автомобільних доріг, методику виконання геодезичних робіт. Розглянуто питання проектування доріг і вулиць у поздовжньому та поперечному профілях. Наведено розрахунки переходів через малі та великі водотоки. Висвітлено питання застосування дорожньо-будівельних матеріалів, механізмів і технологій улаштування земляного полотна, дорожнього одягу, будівництва мостів, труб та інженерно-транспортного обладнання автомобільних доріг, а також захисту навколишнього середовища й охорони праці. Акцентовано увагу на питаннях експлуатації, утримання та ремонту, а також реконструкції автомобільних доріг і вулиць.

Індекс рубрикатора НБУВ: Т3(4Укр)615-909

Рубрики:

Історія

Шифр НБУВ: Ж68307 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кристалоквазіхімія, телурид свинцю, телурид галію
Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2

Рубрики:

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На підставі аналізу залежностей склад - властивості у системі PbTe - Tl запропоновано можливі кристалоквазіхімічні механізми утворення дефектів: заповнення талієм вакансій телуру (антиструктурні дефекти); вкорінення талію; утворення комплексу вакансія телуру - міжвузловий атом талію.

On the basis of analysis of Дcomposition-properties" dependence in the system PbTe-Tl are offered the possible crystal-quasichemical mechanisms of defects formation: filling by thallium of tellurium vacancies (anti-structural defects); inculcation thethallium; formation of Дvacancy of tellurium-interlattice atom of thallium" complex

Розглянуто питання визначення пружного стану та зон крайових эфектів у слабкоармованому стрічковому композиті, який перебуває за умов плоскої деформації та рівномірного навантаження. Досліджено вплив коефіцієнта форми стрічки на характер крайових ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів легування домішкою галію кристалічної структури телуриду свинцю. Проаналізовано два можливі механізми легувального впливу: вкорінення галію у тетраедричні порожнини та заміщення свинцю в октаедричних порожнинах щільної упаковки атомів телуру.

Запропоновано моделі та механізми утворення атомних дефектів у твердих розчинах PbTe - TlTe. Показано, що за умови реалізації різних зарядових станів іонів талію у разі заміщення вакансій свинцю чи добудови катіонної підгратки у PbTe проявляється донорна або акцепторна дія відповідно. У разі механізму одночасного заміщення та вкорінення талію в основну матрицю переважає зростання концентрації електронів.

Ключ. слова: телурид свинцю, телурид індію, тверді розчини, атомні дефекти, кристалоквазіхімія
Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2 + В379.223

Рубрики:

Природа сплавів

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.31 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розв'язано задачу про знаходження енергетичного спектра частинки в циліндричній і кубічній квантових точках (КТ). Вперше зроблено аналіз впливу форми нанокристала на енергетичний спектр заряду в тунельно-зв'язаних КТ. Розглянуто КТ сферичної, кубічної та циліндричної форми.

Проаналізовано літературні джерела з питань дослідження фізико-хімічних властивостей твердих розчинів (ТР) системи PbTe - MnTe. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для різних механізмів утворення ТР. На основі залежностей концентрації точкових дефектів, вільних носіїв і холлівської концентрації від складу зроблено висновок про природу ТР.

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для механізмів заміщення Манганом Плюмбуму, вкорінення в тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів Телуру, а також заміни Манганом Плюмбуму з його подальшим переходом у міжвузля основної матриці. На основі порівняння результатів розрахунків і експерименту зроблено висновок про домінуючі точкові дефекти.